Free Shipping On Orders Over USD$399 Within 2Kg
GA36N60A3
Payment:
Delivery:

IXGA36N60A3 , IXYS

Производитель: IXYS
Mfr.Part #: IXGA36N60A3
Пакет: TO-263AA-3
RoHS:
Техническая спецификация:

PDF For IXGA36N60A3

Описание:
IGBT Transistors DISC IGBT PT-LOW FREQUENCY
Запрос коммерческого предложения In Stock: 313694
Полезные советы: заполните форму ниже, и мы свяжемся с вами в ближайшее время.
*Количество:
*Ваше имя:
*Email:
телефон:
Целевая цена:
замечание:
Отправить запрос
  • Product Details
  • Shopping Guide
  • FAQs
Технические характеристики продукта
Product Attribute Attribute Value
Manufacturer IXYS
Product Category IGBT Transistors
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Mounting Style SMD/SMT
Pd - Power Dissipation 220 W
Product Type IGBT Transistors
Package / Case TO-263AA-3
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.4 V
Minimum Operating Temperature - 55 C
Maximum Operating Temperature + 150 C
Packaging Tube
Brand IXYS
Configuration Single
Continuous Collector Current At 25 C 200 A
Gate-Emitter Leakage Current 100 nA
Technology Si
Factory Pack Quantity 50
Subcategory IGBTs
Перекрестные ссылки
822766
1156
/category/Semiconductors/Discrete-Semiconductors/Transistors/IGBT-Transistors_1156?proid=822766&N=
$